化學機械拋光，也稱CMP (Chemical Mechanical Planarization)，又稱化學機械平坦化，主要應用在半導體製程中。
化學機械拋光，也稱CMP (Chemical Mechanical Planarization)，又稱化學機械平坦化，主要應用在半導體製程中，晶圓在製造過程中不斷經過沉積、曝光、顯影、蝕刻，而推砌出一層層的微電路，每一層就會利用這樣的拋光方式讓表面平坦，才能讓積體電路的品質更高，今天就簡單介紹這項加工方式的原理及基本的部件吧！
■深入介紹：
化學沉積拋光應用的廠家很多，大部分晶圓代工廠如聯電、台積電等等都有在使用CMP製程，研磨時合併化學及機械的移除力，將表面多餘的東西移除，而其中有3個重要的耗材：
◆CMP Slurry (研磨漿液)
其中含有化學物質及磨粒，化學物質負責氧化、腐蝕、保護工件的功能，磨粒就是負責機械力移除的部分，那些被化學物質軟化的部分，就會由磨粒來進行移除。
◆CMP Pad (研磨墊)
在CMP製程中，工件會被直接壓在研磨墊上進行研磨，同時研磨漿液也會在表面不斷流動，由此可知，這樣的部件就有如無心研磨中的調整輪，輔助砂輪完成研磨，其軟硬度、表面樣貌、溝槽樣貌等都會影響研磨的最終結果，可說是非常重要的角色。
◆CMP Disk (鑽石碟)
又稱CMP Conditioner，最主要的功能就是對研磨墊表面的修整，就好像砂輪的修整器，前面也有提到研磨墊對研磨結果的影響，所以修整也是非常重要的一環，修整不完全，研磨的結果就會差強人意，是需要注重的。
■應用：
CMP的研磨製程分為四部
■總結：
這樣的加工方式，與研磨的基礎概念很相似，且應用極廣，需要極為精細的控制，包括機台的參數及耗材的控制，都需要時間累積經驗並不斷優化，雖然會有缺點，但整體來說這樣的加工方式還是優點大於缺點的，今天與大家分享一些關於現在正夯的加工方式，希望大家能夠對於研磨產業有更多的認識。
※以上是SEYA生堯砥研的分享，若對砂輪、調整輪的選擇與搭配，或研磨相關技術有任何問題，歡迎與我們聯絡與諮詢！
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